Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > JAN1N6639
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1226264

JAN1N6639

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
115+
$8.852
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N6639
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    JAN1N6639.pdf
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.2V @ 300mA
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    75V
  • Dodavatel zařízení Package
    D-5D
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/609
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    4ns
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    D, Axial
  • Ostatní jména
    1086-20009
    1086-20009-MIL
  • Provozní teplota - spojení
    -65°C ~ 175°C
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    8 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 75V 300mA Through Hole D-5D
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    100nA @ 75V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    300mA
  • Kapacitní @ Vr, F
    -

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JAN1N6639“.
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Popis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6642UB2R

JAN1N6642UB2R

Popis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6641

JAN1N6641

Popis: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6642UB

JAN1N6642UB

Popis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6642

JAN1N6642

Popis: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Popis: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Popis: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6639US

JAN1N6639US

Popis: DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6640US

JAN1N6640US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6638

JAN1N6638

Popis: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

Popis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6640

JAN1N6640

Popis: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6642U

JAN1N6642U

Popis: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6641US

JAN1N6641US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6642UB2

JAN1N6642UB2

Popis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6630

JAN1N6630

Popis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Popis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Popis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.