Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > JAN1N649-1
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1601822

JAN1N649-1

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N649-1
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    JAN1N649-1.pdf
  • Napětí - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    400mA
  • Napětí - Rozdělení
    DO-35
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/240
  • Stav RoHS
    Bulk
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odpor při IF, F
    -
  • Polarizace
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Ostatní jména
    1086-15995
    1086-15995-MIL
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní číslo výrobce
    JAN1N649-1
  • Rozšířený popis
    Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
  • Konfigurace dioda
    50nA @ 600V
  • Popis
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    1V @ 400mA
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode)
    600V
  • Kapacitní @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JAN1N649-1“.
JAN1N6621

JAN1N6621

Popis: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Popis: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Popis: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Popis: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Popis: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Popis: TVS DIODE 14CDIP

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Popis: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Popis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Popis: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Popis: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Popis: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

Popis: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Popis: TVS DIODE 14CDIP

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Popis: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Popis: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Popis: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Popis: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Popis: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.