Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Ochrana obvodu > TVS - diody > JAN1N6472US
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6621041

JAN1N6472US

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$24.158
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N6472US
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TVS DIODE 15V 26.5V GMELF
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    JAN1N6472US.pdf
  • Napětí - Reverse Standoff (typ)
    15V
  • Napětí - upnutí (max.) @ Ipp
    26.5V
  • Napětí - porucha (Min)
    16.4V
  • Jednosměrné kanály
    1
  • Typ
    Zener
  • Dodavatel zařízení Package
    G-MELF (D-5C)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/552
  • Ochrana napájecího vedení
    No
  • Napájení - špičkový impuls
    1500W (1.5kW)
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    SQ-MELF, G
  • Ostatní jména
    1086-2289
    1086-2289-MIL
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    18 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)
    322A (8/20µs)
  • Kapacitní @ Frekvence
    -
  • Aplikace
    General Purpose

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JAN1N6472US“.
JAN1N6469US

JAN1N6469US

Popis: TVS DIODE 5V 9V GMELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6470US

JAN1N6470US

Popis: TVS DIODE 6V 11V GMELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6471US

JAN1N6471US

Popis: TVS DIODE 12V 22.6V GMELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Popis: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Popis: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Popis: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6469

JAN1N6469

Popis: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Popis: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Popis: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N647-1

JAN1N647-1

Popis: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6470

JAN1N6470

Popis: TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Popis: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Popis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Popis: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6472

JAN1N6472

Popis: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N649-1

JAN1N649-1

Popis: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N6468US

JAN1N6468US

Popis: TVS DIODE 51.6V 78.5V B SQ-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6471

JAN1N6471

Popis: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Popis: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N6468

JAN1N6468

Popis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.