Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Ochrana obvodu > TVS - diody > JAN1N5632A
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1125071

JAN1N5632A

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N5632A
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    JAN1N5632A.pdf
  • Napětí - Reverse Standoff (typ)
    7.78V
  • Napětí - upnutí (max.) @ Ipp
    13.4V
  • Napětí - porucha (Min)
    8.65V
  • Jednosměrné kanály
    1
  • Typ
    Zener
  • Dodavatel zařízení Package
    DO-13 (DO-202AA)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • Ochrana napájecího vedení
    No
  • Napájení - špičkový impuls
    1500W (1.5kW)
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    DO-13
  • Ostatní jména
    1086-15777
    1086-15777-MIL
  • Provozní teplota
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)
    112A
  • Kapacitní @ Frekvence
    -
  • Aplikace
    General Purpose

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JAN1N5632A“.
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5648A

JAN1N5648A

Popis: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N5640A

JAN1N5640A

Popis: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5642A

JAN1N5642A

Popis: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Popis: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Popis: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5646A

JAN1N5646A

Popis: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5645A

JAN1N5645A

Popis: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Popis: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5647A

JAN1N5647A

Popis: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Popis: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5644A

JAN1N5644A

Popis: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.