domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > JAN1N5622
Žádost o nabídku
Čeština
2247994JAN1N5622 Image.Microsemi

JAN1N5622

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$12.35
10+
$11.113
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N5622
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.3V @ 3A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    1000V
  • Rychlost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    2µs
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    A, Axial
  • Ostatní jména
    1086-2114
    1086-2114-MIL
  • Provozní teplota - spojení
    -65°C ~ 200°C
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    8 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 1000V 1A Through Hole
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    500nA @ 1000V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    1A
  • Kapacitní @ Vr, F
    -
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Popis: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5621

JAN1N5621

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Popis: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Popis: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5617

JAN1N5617

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5619

JAN1N5619

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5640A

JAN1N5640A

Popis: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5642A

JAN1N5642A

Popis: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5620

JAN1N5620

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Popis: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Popis: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5623

JAN1N5623

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5618

JAN1N5618

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení