Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > JAN1N5553US
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5729132

JAN1N5553US

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$13.688
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N5553US
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
    JAN1N5553US.pdf
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.3V @ 9A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    800V
  • Dodavatel zařízení Package
    D-5B
  • Rychlost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    2µs
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    SQ-MELF, B
  • Ostatní jména
    1086-19416
    1086-19416-MIL
  • Provozní teplota - spojení
    -65°C ~ 175°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    8 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 800V 3A Surface Mount D-5B
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    1µA @ 800V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    3A
  • Kapacitní @ Vr, F
    -

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „JAN1N5553US“.
JAN1N5552

JAN1N5552

Popis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5551

JAN1N5551

Popis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Popis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Popis: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Popis: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Popis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Popis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5550

JAN1N5550

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Popis: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

Popis: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5558

JAN1N5558

Popis: TVS DIODE 175V 265V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Popis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Popis: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Popis: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.