domů > produkty > Ochrana obvodu > TVS - diody > JAN1N5556
Žádost o nabídku
Čeština
2306777

JAN1N5556

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N5556
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - Reverse Standoff (typ)
    40.3V
  • Napětí - upnutí (max.) @ Ipp
    63.5V
  • Napětí - porucha (Min)
    43.7V
  • Jednosměrné kanály
    1
  • Typ
    Zener
  • Dodavatel zařízení Package
    DO-13 (DO-202AA)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • Ochrana napájecího vedení
    No
  • Napájení - špičkový impuls
    1500W (1.5kW)
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    DO-13
  • Ostatní jména
    1086-15760
    1086-15760-MIL
  • Provozní teplota
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Proud - špičkový impuls (10 / 1000μs)
    24A
  • Kapacitní @ Frekvence
    -
  • Aplikace
    General Purpose
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5558

JAN1N5558

Popis: TVS DIODE 175V 265V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5610

JAN1N5610

Popis: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5553

JAN1N5553

Popis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5551

JAN1N5551

Popis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5612

JAN1N5612

Popis: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5552

JAN1N5552

Popis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Popis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5611

JAN1N5611

Popis: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
JAN1N5614

JAN1N5614

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5615

JAN1N5615

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Popis: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
JAN1N5554

JAN1N5554

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5555

JAN1N5555

Popis: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5616

JAN1N5616

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení