Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > APTC90DAM60T1G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5919345APTC90DAM60T1G Image.Microsemi

APTC90DAM60T1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$47.405
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APTC90DAM60T1G
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    APTC90DAM60T1G.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.5V @ 6mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SP1
  • Série
    CoolMOS™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 52A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    462W (Tc)
  • Obal
    Tray
  • Paket / krabice
    SP1
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    13600pF @ 100V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    540nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    Super Junction
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    900V
  • Detailní popis
    N-Channel 900V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    59A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APTC90DAM60T1G“.
APTC90AM60SCTG

APTC90AM60SCTG

Popis: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90H12T1G

APTC90H12T1G

Popis: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80H29T1G

APTC80H29T1G

Popis: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90H12T2G

APTC90H12T2G

Popis: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80H29T3G

APTC80H29T3G

Popis: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90TAM60TPG

APTC90TAM60TPG

Popis: MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90DDA12T1G

APTC90DDA12T1G

Popis: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80TDU15PG

APTC80TDU15PG

Popis: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90AM602G

APTC90AM602G

Popis: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80SK15T1G

APTC80SK15T1G

Popis: MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80TA15PG

APTC80TA15PG

Popis: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90SKM60CT1G

APTC90SKM60CT1G

Popis: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90SKM60T1G

APTC90SKM60T1G

Popis: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80H29SCTG

APTC80H29SCTG

Popis: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90DAM60CT1G

APTC90DAM60CT1G

Popis: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90HM60T3G

APTC90HM60T3G

Popis: MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90H12SCTG

APTC90H12SCTG

Popis: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90AM60T1G

APTC90AM60T1G

Popis: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTCFGP1VTR

APTCFGP1VTR

Popis: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

Výrobci: APEM Inc.
Na skladě
RFQ
APTC90DSK12T1G

APTC90DSK12T1G

Popis: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.