Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > APTC80H29SCTG
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4416779

APTC80H29SCTG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$68.01
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APTC80H29SCTG
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APTC80H29SCTG.pdf
    2.APTC80H29SCTG.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3.9V @ 1mA
  • Dodavatel zařízení Package
    SP4
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    290 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Power - Max
    156W
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    SP4
  • Provozní teplota
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2254pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    91nC @ 10V
  • Typ FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    800V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP4
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    15A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APTC80H29SCTG“.
APTC80TDU15PG

APTC80TDU15PG

Popis: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80H15T3G

APTC80H15T3G

Popis: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80H15T1G

APTC80H15T1G

Popis: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90AM60T1G

APTC90AM60T1G

Popis: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80H29T1G

APTC80H29T1G

Popis: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80DDA15T3G

APTC80DDA15T3G

Popis: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80DSK15T3G

APTC80DSK15T3G

Popis: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80AM75SCG

APTC80AM75SCG

Popis: MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80A15SCTG

APTC80A15SCTG

Popis: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80H29T3G

APTC80H29T3G

Popis: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80DSK29T3G

APTC80DSK29T3G

Popis: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90AM60SCTG

APTC90AM60SCTG

Popis: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90AM602G

APTC90AM602G

Popis: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90DAM60T1G

APTC90DAM60T1G

Popis: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80DA15T1G

APTC80DA15T1G

Popis: MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80DDA29T3G

APTC80DDA29T3G

Popis: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC90DAM60CT1G

APTC90DAM60CT1G

Popis: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80SK15T1G

APTC80SK15T1G

Popis: MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80A15T1G

APTC80A15T1G

Popis: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APTC80TA15PG

APTC80TA15PG

Popis: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.