Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > APT70GR120J
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6710166APT70GR120J Image.Microsemi

APT70GR120J

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT70GR120J
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 1200V 112A 543W SOT227
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    3.2V @ 15V, 70A
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-227
  • Série
    -
  • Power - Max
    543W
  • Paket / krabice
    SOT-227-4
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    7.26nF @ 25V
  • Vstup
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT
  • Detailní popis
    IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    1mA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    112A
  • Konfigurace
    Single
APT70GR65B

APT70GR65B

Popis: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT66M60B2

APT66M60B2

Popis: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT68GA60B

APT68GA60B

Popis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Popis: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT70GR120L

APT70GR120L

Popis: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT70SM70J

APT70SM70J

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT6M100K

APT6M100K

Popis: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Popis: IGBT 600V 198A 833W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT66F60B2

APT66F60B2

Popis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Popis: MOD DIODE 1200V SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Popis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT70SM70S

APT70SM70S

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT66F60L

APT66F60L

Popis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Popis: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Popis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Popis: MOD DIODE 1700V SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT70SM70B

APT70SM70B

Popis: POWER MOSFET - SIC

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT66M60L

APT66M60L

Popis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení