Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > APT68GA60B
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5954962APT68GA60B Image.Microsemi

APT68GA60B

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$10.25
10+
$9.229
30+
$8.409
120+
$7.589
270+
$6.973
510+
$6.358
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT68GA60B
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 600V 121A 520W TO-247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    APT68GA60B.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 40A
  • Zkušební podmínky
    400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    21ns/133ns
  • přepínání energie
    715µJ (on), 607µJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247 [B]
  • Série
    POWER MOS 8™
  • Power - Max
    520W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    29 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    PT
  • Gate Charge
    298nC
  • Detailní popis
    IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-247 [B]
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    202A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    121A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT68GA60B“.
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Popis: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Popis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Popis: IGBT 600V 198A 833W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Popis: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Popis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT65GP60J

APT65GP60J

Popis: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT6M100K

APT6M100K

Popis: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Popis: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Popis: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

Popis: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Popis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

Popis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT70GR120J

APT70GR120J

Popis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT70GR65B

APT70GR65B

Popis: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT70GR120L

APT70GR120L

Popis: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Popis: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT64GA90B

APT64GA90B

Popis: IGBT 900V 117A 500W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Popis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.