Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > APT45GP120JDQ2
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2705322APT45GP120JDQ2 Image.Microsemi

APT45GP120JDQ2

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$40.89
10+
$38.239
30+
$35.365
100+
$33.155
250+
$30.945
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT45GP120JDQ2
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 1200V 75A 329W SOT227
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    3.9V @ 15V, 45A
  • Dodavatel zařízení Package
    ISOTOP®
  • Série
    POWER MOS 7®
  • Power - Max
    329W
  • Paket / krabice
    ISOTOP
  • Ostatní jména
    APT45GP120JDQ2MI
    APT45GP120JDQ2MI-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    4nF @ 25V
  • Vstup
    Standard
  • Typ IGBT
    PT
  • Detailní popis
    IGBT Module PT Single 1200V 75A 329W Chassis Mount ISOTOP®
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    750µA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    75A
  • Konfigurace
    Single
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45GP120J

APT45GP120J

Popis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT44F80B2

APT44F80B2

Popis: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Popis: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Popis: IGBT 600V 78A 337W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45M100J

APT45M100J

Popis: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Popis: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT44GA60B

APT44GA60B

Popis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Popis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT47F60J

APT47F60J

Popis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT47M60J

APT47M60J

Popis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT43M60L

APT43M60L

Popis: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT44F80L

APT44F80L

Popis: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45GR65B

APT45GR65B

Popis: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Popis: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Popis: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
APT43M60B2

APT43M60B2

Popis: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Popis: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení