Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > APT45M100J
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5642519APT45M100J Image.Microsemi

APT45M100J

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT45M100J
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APT45M100J.pdf
    2.APT45M100J.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-227
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 33A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    960W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Ostatní jména
    APT45M100JMI
    APT45M100JMI-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    18500pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    570nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1000V
  • Detailní popis
    N-Channel 1000V 45A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    45A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT45M100J“.
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Popis: IGBT 600V 78A 337W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT48M80B2

APT48M80B2

Popis: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Popis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Popis: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT45GR65B

APT45GR65B

Popis: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Popis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT47F60J

APT47F60J

Popis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Popis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT48M80L

APT48M80L

Popis: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT45GP120J

APT45GP120J

Popis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Popis: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Popis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Popis: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Popis: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Popis: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Popis: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT47M60J

APT47M60J

Popis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.