Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > APT24M80B
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4995042APT24M80B Image.Microsemi

APT24M80B

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
60+
$10.937
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT24M80B
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APT24M80B.pdf
    2.APT24M80B.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247 [B]
  • Série
    POWER MOS 8™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    390 mOhm @ 12A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    625W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4595pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    800V
  • Detailní popis
    N-Channel 800V 25A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT24M80B“.
APT22F80S

APT22F80S

Popis: MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GP120BG

APT25GP120BG

Popis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GF120JCU2

APT25GF120JCU2

Popis: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT24M80S

APT24M80S

Popis: MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT24F50S

APT24F50S

Popis: MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT22F80B

APT22F80B

Popis: MOSFET N-CH 800V 22A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GP120BDQ1G

APT25GP120BDQ1G

Popis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT23F60B

APT23F60B

Popis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT24M120B2

APT24M120B2

Popis: MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

Popis: IGBT 1200V 67A 272W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Popis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GLQ120JCU2

APT25GLQ120JCU2

Popis: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GN120SG

APT25GN120SG

Popis: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT22F120B2

APT22F120B2

Popis: MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT22F120L

APT22F120L

Popis: MOSFET N-CH 1200V 23A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT24M120L

APT24M120L

Popis: MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT23F60S

APT23F60S

Popis: MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GN120BG

APT25GN120BG

Popis: IGBT 1200V 67A 272W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Popis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT24F50B

APT24F50B

Popis: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.