Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > APT22F80S
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1497951APT22F80S Image.Microsemi

APT22F80S

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
60+
$10.937
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT22F80S
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    D3Pak
  • Série
    POWER MOS 8™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    430 mOhm @ 12A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    625W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    22 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4595pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    800V
  • Detailní popis
    N-Channel 800V 23A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)
APT22F100J

APT22F100J

Popis: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT25GF120JCU2

APT25GF120JCU2

Popis: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT23F60S

APT23F60S

Popis: MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT23F60B

APT23F60B

Popis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT21M100J

APT21M100J

Popis: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT24F50S

APT24F50S

Popis: MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT20SCD120S

APT20SCD120S

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT24M120L

APT24M120L

Popis: MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
APT22F120L

APT22F120L

Popis: MOSFET N-CH 1200V 23A TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT22F120B2

APT22F120B2

Popis: MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT20SCD65K

APT20SCD65K

Popis: DIODE SILICON 650V 32A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT24M80S

APT24M80S

Popis: MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT22F80B

APT22F80B

Popis: MOSFET N-CH 800V 22A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT24M120B2

APT24M120B2

Popis: MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT20SCD120B

APT20SCD120B

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT24F50B

APT24F50B

Popis: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT20N60BC3G

APT20N60BC3G

Popis: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT25GLQ120JCU2

APT25GLQ120JCU2

Popis: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT24M80B

APT24M80B

Popis: MOSFET N-CH 800V 25A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT20N60SC3G

APT20N60SC3G

Popis: MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení