Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > APT25GP120BDQ1G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5595848APT25GP120BDQ1G Image.Microsemi

APT25GP120BDQ1G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$13.69
10+
$12.445
30+
$11.512
120+
$10.578
270+
$9.645
510+
$9.023
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT25GP120BDQ1G
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 1200V 69A 417W TO247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APT25GP120BDQ1G.pdf
    2.APT25GP120BDQ1G.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    3.9V @ 15V, 25A
  • Zkušební podmínky
    600V, 25A, 5 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    12ns/70ns
  • přepínání energie
    500µJ (on), 440µJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247 [B]
  • Série
    POWER MOS 7®
  • Power - Max
    417W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Ostatní jména
    APT25GP120BDQ1GMI
    APT25GP120BDQ1GMI-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    PT
  • Gate Charge
    110nC
  • Detailní popis
    IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    90A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    69A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT25GP120BDQ1G“.
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Popis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

Popis: IGBT 1200V 67A 272W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GF120JCU2

APT25GF120JCU2

Popis: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GR120S

APT25GR120S

Popis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT24M80B

APT24M80B

Popis: MOSFET N-CH 800V 25A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GN120BG

APT25GN120BG

Popis: IGBT 1200V 67A 272W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GLQ120JCU2

APT25GLQ120JCU2

Popis: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT24M120L

APT24M120L

Popis: MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT25GR120B

APT25GR120B

Popis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT24M120B2

APT24M120B2

Popis: MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Popis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT24F50S

APT24F50S

Popis: MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GN120SG

APT25GN120SG

Popis: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GP120BG

APT25GP120BG

Popis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Popis: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Popis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Popis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT24M80S

APT24M80S

Popis: MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Popis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Popis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.