Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - moduly > APT150GT120JR
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3882775APT150GT120JR Image.Microsemi

APT150GT120JR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$53.78
10+
$50.291
30+
$46.512
100+
$43.605
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT150GT120JR
  • Výrobce / značka
    Microsemi
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 1200V 170A 830W SOT227
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.APT150GT120JR.pdf
    2.APT150GT120JR.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1200V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    3.7V @ 15V, 150A
  • Dodavatel zařízení Package
    ISOTOP®
  • Série
    Thunderbolt IGBT®
  • Power - Max
    830W
  • Paket / krabice
    ISOTOP
  • Ostatní jména
    APT150GT120JRMI
    APT150GT120JRMI-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    18 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
    9.3nF @ 25V
  • Vstup
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT
  • Detailní popis
    IGBT Module NPT Single 1200V 170A 830W Chassis Mount ISOTOP®
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    150µA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    170A
  • Konfigurace
    Single

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „APT150GT120JR“.
APT15D100BG

APT15D100BG

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT14M100B

APT14M100B

Popis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Popis: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT14M120B

APT14M120B

Popis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT15D100KG

APT15D100KG

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Popis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Popis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Popis: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT15D40BCTG

APT15D40BCTG

Popis: DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Popis: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT15D40KG

APT15D40KG

Popis: DIODE GEN PURP 400V 15A TO220-2

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Popis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT150GN120J

APT150GN120J

Popis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Popis: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT15D120KG

APT15D120KG

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT15D120BG

APT15D120BG

Popis: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

Popis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT150GN60J

APT150GN60J

Popis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT14F100S

APT14F100S

Popis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
RFQ
APT15D30KG

APT15D30KG

Popis: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.