Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > APT14F100S
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5367375APT14F100S Image.Microsemi

APT14F100S

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT14F100S
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    D3Pak
  • Série
    POWER MOS 8™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    980 mOhm @ 7A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    500W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    3965pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    120nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1000V
  • Detailní popis
    N-Channel 1000V 14A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)
APT150GN60J

APT150GN60J

Popis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Popis: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT130SM70B

APT130SM70B

Popis: MOSFET N-CH 700V TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT150GN120J

APT150GN120J

Popis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Popis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT14M100B

APT14M100B

Popis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Popis: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT13F120B

APT13F120B

Popis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Popis: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT13005TF-G1

APT13005TF-G1

Popis: TRANS NPN 450V 4A TO220-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
APT14F100B

APT14F100B

Popis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Popis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Popis: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT13F120S

APT13F120S

Popis: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT130SM70J

APT130SM70J

Popis: MOSFET N-CH 700V SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

Popis: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT14M100S

APT14M100S

Popis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Popis: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT14M120B

APT14M120B

Popis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Popis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení