R6015KNX

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

$2.17

10+

$1.964

100+

$1.578

500+

$1.228

1000+

$1.017

Online poptávka

Specifikace

Part Number

R6015KNX
Výrobce / značka

LAPIS Technology
Množství zásob

Na skladě
Popis

NCH 600V 15A POWER MOSFET
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

R6015KNX.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

TO-220FM
Série

-
RDS On (Max) @ Id, Vgs

290 mOhm @ 6.5A, 10V
Ztráta energie (Max)

60W (Tc)
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

TO-220-3 Full Pack
Ostatní jména

R6015KNXTR
R6015KNXTR-ND
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby

15 Weeks
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

27.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

10V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

600V
Detailní popis

N-Channel 600V 15A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220FM
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Následuje produkty související s „R6015KNX“.

R6018ANJTL

Popis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFQ

R6020225HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.

Na skladě

RFQ

R60200-3CR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)

Na skladě

RFQ

R60200-1CR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)

Na skladě

RFQ

R6015ANX

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFQ

R6015ENX

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFQ

R6020222PSYA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.

Na skladě

RFQ

R6020235ESYA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFQ

R6013-00

Popis: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Výrobci: Harwin

Na skladě

RFQ

R6015KNJTL

Popis: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Výrobci: LAPIS Semiconductor

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

R6015KNX

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

R6018ANJTL

R6020225HSYA

R60200-3CR

R60200-1CR

R6015ANX

R6015ENX

R6020222PSYA

R6020235ESYA

R6015ANZC8

R6015KNZC8

R60200-1CRQ

R6015ANJTL

R60200-1STR

R6015ENZC8

R6015ENJTL

R6015FNJTL

R60200-1STRM

R6015FNX

R6013-00

R6015KNJTL

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk