Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > R6015KNJTL
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3591615R6015KNJTL Image.LAPIS Semiconductor

R6015KNJTL

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1000+
$1.351
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    R6015KNJTL
  • Výrobce / značka
    LAPIS Technology
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    NCH 600V 15A POWER MOSFET
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    1.R6015KNJTL.pdf
    2.R6015KNJTL.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-263
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    290 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    184W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ostatní jména
    R6015KNJTLTR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    17 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1050pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    37.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 15A (Tc) 184W (Tc) Surface Mount TO-263
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „R6015KNJTL“.
R6015KNZC8

R6015KNZC8

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6015ENX

R6015ENX

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Popis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6015KNX

R6015KNX

Popis: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6015ANX

R6015ANX

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R60200-3CR

R60200-3CR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R6015ENJTL

R6015ENJTL

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6020222PSYA

R6020222PSYA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R6018ANJTL

R6018ANJTL

Popis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6015FNX

R6015FNX

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6020225HSYA

R6020225HSYA

Popis: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě
RFQ
R60200-1CR

R60200-1CR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R60200-1STRM

R60200-1STRM

Popis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R60200-1CRQ

R60200-1CRQ

Popis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R6015ENZC8

R6015ENZC8

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R60200-1STR

R60200-1STR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
RFQ
R6013-00

R6013-00

Popis: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Výrobci: Harwin
Na skladě
RFQ
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6012FNX

R6012FNX

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
R6015FNJTL

R6015FNJTL

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.