domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > R6015ENX
Žádost o nabídku
Čeština
3686217R6015ENX Image.LAPIS Semiconductor

R6015ENX

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$3.83
10+
$3.421
100+
$2.805
500+
$2.272
1000+
$1.916
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    R6015ENX
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 600V 15A TO220
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220FM
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    290 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    40W (Tc)
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    TO-220-3 Full Pack
  • Ostatní jména
    R6015ENXCT
    R6015ENXCT-ND
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    17 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    910pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    600V
  • Detailní popis
    N-Channel 600V 15A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)
R6013-00

R6013-00

Popis: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Výrobci: Harwin
Na skladě
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Popis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R60200-1STR

R60200-1STR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
R6015FNX

R6015FNX

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Popis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6018ANJTL

R6018ANJTL

Popis: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6015ENJTL

R6015ENJTL

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6015KNX

R6015KNX

Popis: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6015FNJTL

R6015FNJTL

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6015ENZC8

R6015ENZC8

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R60200-1CR

R60200-1CR

Popis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
R6015KNZC8

R6015KNZC8

Popis: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6015ANX

R6015ANX

Popis: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6012ANX

R6012ANX

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6015KNJTL

R6015KNJTL

Popis: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R6012FNX

R6012FNX

Popis: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
R60200-1CRQ

R60200-1CRQ

Popis: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Výrobci: Bussmann (Eaton)
Na skladě
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Popis: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Výrobci: Powerex, Inc.
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení