Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTA110N055T2
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3828507IXTA110N055T2 Image.IXYS Corporation

IXTA110N055T2

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$2.57
50+
$2.07
100+
$1.863
500+
$1.449
1000+
$1.201
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXTA110N055T2
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-263 (IXTA)
  • Série
    TrenchT2™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    6.6 mOhm @ 25A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    180W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    3060pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    57nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    55V
  • Detailní popis
    N-Channel 55V 110A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)
IXTA130N065T2

IXTA130N065T2

Popis: MOSFET N-CH 65V 130A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA10P50PTRL

IXTA10P50PTRL

Popis: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA08N120P

IXTA08N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA08N50D2

IXTA08N50D2

Popis: MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA120P065T

IXTA120P065T

Popis: MOSFET P-CH 65V 120A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA120N075T2

IXTA120N075T2

Popis: MOSFET N-CH 75V 120A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA10N60P

IXTA10N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA130N10T

IXTA130N10T

Popis: MOSFET N-CH 100V 130A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA110N055T7

IXTA110N055T7

Popis: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA110N055P

IXTA110N055P

Popis: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA130N10T-TRL

IXTA130N10T-TRL

Popis: MOSFET N-CH 100V 130A TO263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA120N04T2

IXTA120N04T2

Popis: MOSFET N-CH 40V 120A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA110N12T2

IXTA110N12T2

Popis: 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA102N15T

IXTA102N15T

Popis: MOSFET N-CH 150V 102A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA12N65X2

IXTA12N65X2

Popis: MOSFET N-CH 650V 12A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA110N055T

IXTA110N055T

Popis: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA10P50P

IXTA10P50P

Popis: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA08N100P

IXTA08N100P

Popis: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA100N04T2

IXTA100N04T2

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
IXTA12N50P

IXTA12N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení