Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXTA08N100P
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4123593IXTA08N100P Image.IXYS Corporation

IXTA08N100P

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
50+
$1.955
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXTA08N100P
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXTA08N100P.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-263 (IXTA)
  • Série
    Polar™
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    20 Ohm @ 500mA, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    42W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    240pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    11.3nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    1000V
  • Detailní popis
    N-Channel 1000V 800mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    800mA (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXTA08N100P“.
IXTA110N055T2

IXTA110N055T2

Popis: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA10P50PTRL

IXTA10P50PTRL

Popis: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA05N100

IXTA05N100

Popis: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA08N50D2

IXTA08N50D2

Popis: MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXT-1-1N100S1-TR

IXT-1-1N100S1-TR

Popis: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA02N250

IXTA02N250

Popis: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA08N120P

IXTA08N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA06N120P

IXTA06N120P

Popis: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA02N250HV

IXTA02N250HV

Popis: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA10N60P

IXTA10N60P

Popis: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA08N100D2

IXTA08N100D2

Popis: MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA05N100HV

IXTA05N100HV

Popis: MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA110N055T

IXTA110N055T

Popis: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA102N15T

IXTA102N15T

Popis: MOSFET N-CH 150V 102A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA08N100D2HV

IXTA08N100D2HV

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXT-1-1N100S1

IXT-1-1N100S1

Popis: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA100N04T2

IXTA100N04T2

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA02N450HV

IXTA02N450HV

Popis: MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA110N055P

IXTA110N055P

Popis: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXTA10P50P

IXTA10P50P

Popis: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.