IXGM20N60

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Online poptávka

Specifikace

Part Number

IXGM20N60
Výrobce / značka

IXYS / Littelfuse
Množství zásob

Na skladě
Popis

POWER MOSFET TO-3
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)

600V
VCE (o) (Max) @ VGE, Ic

2.5V @ 15V, 20A
Zkušební podmínky

480V, 20A, 82 Ohm, 15V
Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C

100ns/600ns
přepínání energie

2mJ (on), 3.2mJ (off)
Dodavatel zařízení Package

TO-204AE
Série

-
Reverse Time Recovery (TRR)

200ns
Power - Max

150W
Paket / krabice

TO-204AE
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Typ vstupu

Standard
Typ IGBT

-
Gate Charge

120nC
Detailní popis

IGBT 600V 40A 150W Through Hole TO-204AE
Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)

80A
Proud - Collector (Ic) (Max)

40A

Následuje produkty související s „IXGM20N60“.

IXGM17N100A

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGM25N100A

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGL75N250

Popis: IGBT 2500V 110A 430W I5-PAK

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGM20N60A

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGN100N170

Popis: IGBT 1700V 160A GENX3 SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGK82N120A3

Popis: IGBT 1200V 260A 1250W TO264

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGK72N60A3H1

Popis: IGBT 600V 75A 540W TO264

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGM40N60A

Popis: IGBT LO VOLT 600V 75AMP TO-204AE

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGM40N60

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGN100N120

Popis: IGBT 160A 1200V SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGL200N60B3

Popis: IGBT 600V 150A 400W ISOPLUS264

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGN120N60A3

Popis: IGBT 200A 600V SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGM30N60

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGK72N60C3H1

Popis: IGBT TO264

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGL50N60BD1

Popis: IGBT 600V ISOPLUS264

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGK75N250

Popis: IGBT 2500V 170A 780W TO264

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGK82N120B3

Popis: IGBT 1200V 230A 1250W TO264

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGM40N60AL

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGK72N60B3H1

Popis: IGBT 600V 75A 540W TO264

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

IXGN100N160A

Popis: IGBT 200A 1600V SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

IXGM20N60

Žádost o nabídku

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

IXGM17N100A

IXGM25N100A

IXGL75N250

IXGM20N60A

IXGN100N170

IXGK82N120A3

IXGK72N60A3H1

IXGM40N60A

IXGM40N60

IXGN100N120

IXGL200N60B3

IXGN120N60A3

IXGM30N60

IXGK72N60C3H1

IXGL50N60BD1

IXGK75N250

IXGK82N120B3

IXGM40N60AL

IXGK72N60B3H1

IXGN100N160A

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk