Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > IXGM17N100A
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2226860

IXGM17N100A

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IXGM17N100A
  • Výrobce / značka
    IXYS / Littelfuse
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    POWER MOSFET TO-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    IXGM17N100A.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    1000V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    4V @ 15V, 17A
  • Zkušební podmínky
    800V, 17A, 82 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    100ns/500ns
  • přepínání energie
    3mJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-204AE
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    200ns
  • Power - Max
    150W
  • Paket / krabice
    TO-204AE
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    -
  • Gate Charge
    120nC
  • Detailní popis
    IGBT 1000V 34A 150W Through Hole TO-204AE
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    68A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    34A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „IXGM17N100A“.
IXGM40N60AL

IXGM40N60AL

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGK82N120A3

IXGK82N120A3

Popis: IGBT 1200V 260A 1250W TO264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGN100N160A

IXGN100N160A

Popis: IGBT 200A 1600V SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGL50N60BD1

IXGL50N60BD1

Popis: IGBT 600V ISOPLUS264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGK72N60B3H1

IXGK72N60B3H1

Popis: IGBT 600V 75A 540W TO264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGM30N60

IXGM30N60

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGM40N60A

IXGM40N60A

Popis: IGBT LO VOLT 600V 75AMP TO-204AE

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGM25N100A

IXGM25N100A

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGK72N60A3H1

IXGK72N60A3H1

Popis: IGBT 600V 75A 540W TO264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGL75N250

IXGL75N250

Popis: IGBT 2500V 110A 430W I5-PAK

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGM20N60A

IXGM20N60A

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGK75N250

IXGK75N250

Popis: IGBT 2500V 170A 780W TO264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGM40N60

IXGM40N60

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGL200N60B3

IXGL200N60B3

Popis: IGBT 600V 150A 400W ISOPLUS264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGK82N120B3

IXGK82N120B3

Popis: IGBT 1200V 230A 1250W TO264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGN100N120

IXGN100N120

Popis: IGBT 160A 1200V SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGK72N60C3H1

IXGK72N60C3H1

Popis: IGBT TO264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGN100N170

IXGN100N170

Popis: IGBT 1700V 160A GENX3 SOT-227B

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGM20N60

IXGM20N60

Popis: POWER MOSFET TO-3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IXGK64N60B3D1

IXGK64N60B3D1

Popis: IGBT 600V 460W TO264

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.