Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > GPA060A060MN-FD
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4690036GPA060A060MN-FD Image.Global Power Technologies Group

GPA060A060MN-FD

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$2.66
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    GPA060A060MN-FD
  • Výrobce / značka
    SemiQ
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 600V 120A 347W TO3PN
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    GPA060A060MN-FD.pdf
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.3V @ 15V, 60A
  • Zkušební podmínky
    400V, 60A, 10 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    45ns/150ns
  • přepínání energie
    2.66mJ (on), 1.53mJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-3PN
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    140ns
  • Power - Max
    347W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-3
  • Ostatní jména
    1560-1226-1
    1560-1226-1-ND
    1560-1226-5
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    Trench Field Stop
  • Gate Charge
    225nC
  • Detailní popis
    IGBT Trench Field Stop 600V 120A 347W Through Hole TO-3PN
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    180A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    120A

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „GPA060A060MN-FD“.
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Popis: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Popis: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Výrobci: Bergquist
Na skladě
RFQ
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

Popis: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Popis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

Popis: DIODE GPP 8A TO220AC

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Popis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
GPA025A120MN-ND

GPA025A120MN-ND

Popis: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Popis: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Popis: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Popis: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Popis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

Popis: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA803 C0G

GPA803 C0G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

Popis: DIODE GPP 8A TO220AC

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Popis: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

Popis: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Popis: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Popis: DIODE GPP 8A D2PAK

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

Popis: DIODE GPP 8A D2PAK

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Popis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.