Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > GPA801HC0G
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6055166GPA801HC0G Image.TSC (Taiwan Semiconductor)

GPA801HC0G

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
4000+
$0.268
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    GPA801HC0G
  • Výrobce / značka
    Taiwan Semiconductor
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    GPA801HC0G.pdf
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.1V @ 8A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    50V
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220AC
  • Rychlost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-220-2
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 150°C
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    12 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 50V 8A Through Hole TO-220AC
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    5µA @ 50V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    8A
  • Kapacitní @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „GPA801HC0G“.
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Popis: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Popis: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA803DT-TP

GPA803DT-TP

Popis: DIODE GPP 8A D2PAK

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
GPA804-BP

GPA804-BP

Popis: DIODE GPP 8A TO220AC

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Popis: DIODE GPP 8A D2PAK

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

Popis: DIODE GPP 8A TO220AC

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Popis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
GPA803-BP

GPA803-BP

Popis: DIODE GPP 8A TO220AC

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Popis: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA804 C0G

GPA804 C0G

Popis: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

Popis: DIODE GPP 8A D2PAK

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Popis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

Popis: DIODE GPP 8A TO220AC

Výrobci: Micro Commercial Components (MCC)
Na skladě
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Popis: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Výrobci: Bergquist
Na skladě
RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Popis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
GPA803 C0G

GPA803 C0G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Popis: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA803HC0G

GPA803HC0G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RFQ
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Popis: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Popis: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Výrobci: Global Power Technologies Group
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.