Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SQJ886EP-T1_GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6830355SQJ886EP-T1_GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ886EP-T1_GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.55
10+
$1.371
100+
$1.083
500+
$0.84
1000+
$0.663
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SQJ886EP-T1_GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SQJ886EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® SO-8
  • Série
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 15.3A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    55W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® SO-8
  • Ostatní jména
    SQJ886EP-T1_GE3CT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2922pF @ 20V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    40V
  • Detailní popis
    N-Channel 40V 60A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SQJ886EP-T1_GE3“.
SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 58A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ848EP-T1_GE3

SQJ848EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ946EP-T1_GE3

SQJ946EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ872EP-T1_GE3

SQJ872EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 150V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ914EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ858EP-T1_GE3

SQJ858EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 75A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ951EP-T1_GE3

SQJ951EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ860EP-T1_GE3

SQJ860EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ850EP-T1_GE3

SQJ850EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 24A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ844AEP-T1_GE3

SQJ844AEP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ941EP-T1-GE3

SQJ941EP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ952EP-T1_GE3

SQJ952EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SQJ942EP-T1_GE3

SQJ942EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.