SQJ860EP-T1_GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

$1.05

10+

$0.92

100+

$0.71

500+

$0.526

1000+

$0.421

Online poptávka

Specifikace

Part Number

SQJ860EP-T1_GE3
Výrobce / značka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

SQJ860EP-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (max) 'Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

PowerPAK® SO-8
Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 10A, 10V
Ztráta energie (Max)

48W (Tc)
Obal

Original-Reel®
Paket / krabice

PowerPAK® SO-8
Ostatní jména

SQJ860EP-T1_GE3DKR
Provozní teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

40V
Detailní popis

N-Channel 40V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Následuje produkty související s „SQJ860EP-T1_GE3“.

SQJ868EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ942EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ914EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ912BEP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ570EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ500EPTR

Popis: MOSFET N/P-CH 40V DPAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na skladě

RFQ

SQJ844AEP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ560EP-T1_GE3

Popis: MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ848EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ840EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ850EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 24A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ941EP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ872EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CHAN 150V

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ912AEP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ910AEP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ858EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 75A POWERPAKSO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ940EP-T1_GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ858AEP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 58A

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ504EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

SQJ886EP-T1_GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

RFQ

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Předběžná registrace

SQJ860EP-T1_GE3

Žádost o nabídku

Referenční cena (v amerických dolarech)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

SQJ868EP-T1_GE3

SQJ942EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

SQJ500EPTR

SQJ844AEP-T1_GE3

SQJ560EP-T1_GE3

SQJ848EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

SQJ850EP-T1_GE3

SQJ941EP-T1-GE3

SQJ872EP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ858EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ504EP-T1_GE3

SQJ886EP-T1_GE3

Zvolte jazyk

Aktuální jazyk