Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI7888DP-T1-GE3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5053799SI7888DP-T1-GE3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7888DP-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI7888DP-T1-GE3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI7888DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® SO-8
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 12.4A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1.8W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® SO-8
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    N-Channel 30V 9.4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    9.4A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI7888DP-T1-GE3“.
SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7882DP-T1-E3

SI7882DP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7888DP-T1-E3

SI7888DP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7880ADP-T1-GE3

SI7880ADP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7880ADP-T1-E3

SI7880ADP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.