Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > SI7900AEDN-T1-E3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
579283SI7900AEDN-T1-E3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7900AEDN-T1-E3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.789
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI7900AEDN-T1-E3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI7900AEDN-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    900mV @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • Power - Max
    1.5W
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Ostatní jména
    SI7900AEDN-T1-E3TR
    SI7900AEDNT1E3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    33 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    6A
  • Číslo základní části
    SI7900

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI7900AEDN-T1-E3“.
SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7904DN-T1-E3

SI7904DN-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7904DN-T1-GE3

SI7904DN-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7909DN-T1-E3

SI7909DN-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7905DN-T1-E3

SI7905DN-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7888DP-T1-E3

SI7888DP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3

Popis: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

Popis: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.