Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI3460BDV-T1-E3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5486757SI3460BDV-T1-E3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3460BDV-T1-E3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.09
10+
$0.954
100+
$0.736
500+
$0.545
1000+
$0.436
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI3460BDV-T1-E3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI3460BDV-T1-E3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    6-TSOP
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    2W (Ta), 3.5W (Tc)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Ostatní jména
    SI3460BDV-T1-E3DKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    33 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    860pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    24nC @ 8V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    1.8V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    20V
  • Detailní popis
    N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI3460BDV-T1-E3“.
SI3461-E01-GM

SI3461-E01-GM

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3459SMART24-KIT

SI3459SMART24-KIT

Popis: EVAL KIT SI3459/3483 POE CTLR

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3462-E01-GM

SI3462-E01-GM

Popis: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3460-E02-GMR

SI3460-E02-GMR

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3460BDV-T1-GE3

SI3460BDV-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Výrobci: Vishay Siliconix
Na skladě
RFQ
SI3459-KIT

SI3459-KIT

Popis: EVAL KIT FOR SI3459 POE CTLR

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3460-EVB

SI3460-EVB

Popis: BOARD EVAL POE FOR SI3460

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3462-E01-GMR

SI3462-E01-GMR

Popis: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3460DV-T1-E3

SI3460DV-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3460-E02-GM

SI3460-E02-GM

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3460DV-T1-GE3

SI3460DV-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3461-E01-GMR

SI3461-E01-GMR

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3461-E02-GM

SI3461-E02-GM

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3460-E03-GM

SI3460-E03-GM

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3459BDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3461-KIT

SI3461-KIT

Popis: BOARD EVAL FOR SI3461

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3460-E03-GMR

SI3460-E03-GMR

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3459DV-T1-E3

SI3459DV-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.