Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

*Jméno společnosti
*Jméno
*Titul

*Emailová adresa
*Telefonní číslo

*Země
*Kontaktní okno
*Datum události

*Zpráva

Pro návštěvníky na Electronica 2024

Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.

domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI3460DDV-T1-GE3

RFQs/Objednávka (0)

Čeština

Čeština

1506940

SI3460DDV-T1-GE3 Image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3460DDV-T1-GE3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě

3000+

$0.16

Online poptávka

Specifikace

Part Number

SI3460DDV-T1-GE3
Výrobce / značka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Množství zásob

Na skladě
Popis

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
Stav volného vedení / RoHS

Bez olova / V souladu RoHS
Datasheety

SI3460DDV-T1-GE3.pdf
ECAD model
Vgs (th) (max) 'Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technika

MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package

6-TSOP
Série

TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Ztráta energie (Max)

1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Obal

Tape & Reel (TR)
Paket / krabice

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ostatní jména

SI3460DDV-T1-GE3TR
SI3460DDVT1GE3
Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže

Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

666pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 8V
Typ FET

N-Channel
FET Feature

-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)

1.8V, 4.5V
Drain na zdroj napětí (Vdss)

20V
Detailní popis

N-Channel 20V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C

7.9A (Tc)

Související zprávy
Lodní doprava
Platba

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

Lodní doprava

Způsob platby

Následuje produkty související s „SI3460DDV-T1-GE3“.

SI3460BDV-T1-E3

SI3460BDV-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3459DV-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3461-E01-GMR

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI3461-E01-GM

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI3459SMART24-KIT

SI3459SMART24-KIT

Popis: EVAL KIT SI3459/3483 POE CTLR

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI3464DV-T1-GE3

SI3464DV-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3460DV-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3462-E01-GM

Popis: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI3460DV-T1-GE3

SI3460DV-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3462-E01-GMR

Popis: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI3460-E02-GM

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na skladě

SI3460-EVB

Popis: BOARD EVAL POE FOR SI3460

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI3460-E03-GM

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI3460-E03-GMR

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI3460BDV-T1-GE3

SI3460BDV-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Výrobci: Vishay Siliconix

Na skladě

SI3460-E02-GMR

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI3461-KIT

Popis: BOARD EVAL FOR SI3461

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI3462-EVB

Popis: BOARD EVAL POE PSE SGL PORT

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

SI3461-E02-GM

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na skladě

Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.

Následuj nás

Všeobecné obchodní podmínky Politika porušení Požádat o nabídku O nás Kontaktujte nás Zprávy Mapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.