Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > SI3459BDV-T1-E3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
6219005SI3459BDV-T1-E3 Image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3459BDV-T1-E3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.35
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    SI3459BDV-T1-E3
  • Výrobce / značka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    SI3459BDV-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    6-TSOP
  • Série
    TrenchFET®
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    216 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2W (Ta), 3.3W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Ostatní jména
    SI3459BDV-T1-E3-ND
    SI3459BDV-T1-E3TR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    33 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    350pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    P-Channel 60V 2.9A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    2.9A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „SI3459BDV-T1-E3“.
SI3459SMART24-KIT

SI3459SMART24-KIT

Popis: EVAL KIT SI3459/3483 POE CTLR

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3460-EVB

SI3460-EVB

Popis: BOARD EVAL POE FOR SI3460

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3460-E02-GM

SI3460-E02-GM

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3459-B02-IM

SI3459-B02-IM

Popis: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3457CDV-T1-GE3

SI3457CDV-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3460-E03-GM

SI3460-E03-GM

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3457DV

SI3457DV

Popis: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
SI3458BDV-T1-GE3

SI3458BDV-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3459-B02-IMR

SI3459-B02-IMR

Popis: IC POE PSE 8 PORT 802.3AT 56QFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3457BDV-T1-GE3

SI3457BDV-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3460-E02-GMR

SI3460-E02-GMR

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3460-E03-GMR

SI3460-E03-GMR

Popis: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
SI3460BDV-T1-GE3

SI3460BDV-T1-GE3

Popis: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Výrobci: Vishay Siliconix
Na skladě
RFQ
SI3460BDV-T1-E3

SI3460BDV-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3458DV-T1-E3

SI3458DV-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3457CDV-T1-E3

SI3457CDV-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3459DV-T1-E3

SI3459DV-T1-E3

Popis: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3

Popis: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3458BDV-T1-E3

SI3458BDV-T1-E3

Popis: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
SI3459-KIT

SI3459-KIT

Popis: EVAL KIT FOR SI3459 POE CTLR

Výrobci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.