Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > ZXMN10A25GTA
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4135205ZXMN10A25GTA Image.Diodes Incorporated

ZXMN10A25GTA

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1000+
$0.593
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    ZXMN10A25GTA
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    1.ZXMN10A25GTA.pdf
    2.ZXMN10A25GTA.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-223
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 2.9A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-261-4, TO-261AA
  • Ostatní jména
    ZXMN10A25G
    ZXMN10A25GTATR
    ZXMN10A25GTR
    ZXMN10A25GTR-ND
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    859pF @ 50V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    N-Channel 100V 2.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    2.9A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „ZXMN10A25GTA“.
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Popis: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2A01E6TC

ZXMN2A01E6TC

Popis: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

Popis: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

Popis: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Popis: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN20B28KTC

ZXMN20B28KTC

Popis: MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN15A27KTC

ZXMN15A27KTC

Popis: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

Popis: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2069FTA

ZXMN2069FTA

Popis: MOSFET N-CH SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

Popis: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E6TA

Popis: MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN2088DE6TA

ZXMN2088DE6TA

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.