Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > ZXMN10A08DN8TC
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2795138ZXMN10A08DN8TC Image.Diodes Incorporated

ZXMN10A08DN8TC

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    ZXMN10A08DN8TC
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    ZXMN10A08DN8TC.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2V @ 250µA (Min)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SOP
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Power - Max
    1.25W
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    405pF @ 50V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SOP
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    1.6A

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „ZXMN10A08DN8TC“.
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

Popis: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

Popis: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Popis: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Popis: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Popis: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMHC3F381N8TC

ZXMHC3F381N8TC

Popis: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

Popis: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

Popis: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

Popis: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

Popis: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC

Popis: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

Popis: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

Popis: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.