Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMTH6005LPSQ-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5650807DMTH6005LPSQ-13 Image.Diodes Incorporated

DMTH6005LPSQ-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.89
10+
$1.674
100+
$1.323
500+
$1.026
1000+
$0.81
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMTH6005LPSQ-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMTH6005LPSQ-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerDI5060-8
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 50A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    3.2W (Ta), 150W (Tc)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    8-PowerTDFN
  • Ostatní jména
    DMTH6005LPSQ-13DICT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2962pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    47.1nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    N-Channel 60V 20.6A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    20.6A (Ta), 100A (Tc)

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMTH6005LPSQ-13“.
DMTH6005LPS-13

DMTH6005LPS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Popis: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Popis: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Popis: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Popis: MOSFET N-CH

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 14.2A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13

Popis: MOSFET NCH 60V 90A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6005LK3-13

DMTH6005LK3-13

Popis: MOSFET 60V 90A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Popis: MOSFET NCH 60V 100A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6010LK3-13

DMTH6010LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.