Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMTH6004SCTB-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
3977495DMTH6004SCTB-13 Image.Diodes Incorporated

DMTH6004SCTB-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
800+
$1.34
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMTH6004SCTB-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMTH6004SCTB-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-263AB
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 mOhm @ 100A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    4.7W (Ta), 136W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ostatní jména
    DMTH6004SCTB-13-ND
    DMTH6004SCTB-13DITR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4556pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    95.4nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    N-Channel 60V 100A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMTH6004SCTB-13“.
DMTH4007SPSQ-13

DMTH4007SPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 15.7A POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Popis: MOSFET NCH 60V 100A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4011SPD-13

DMTH4011SPD-13

Popis: MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Popis: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Popis: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH4011SPDQ-13

DMTH4011SPDQ-13

Popis: MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH43M8LK3-13

DMTH43M8LK3-13

Popis: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004SCT

DMTH6004SCT

Popis: MOSFET 60V 100A TO220-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13

Popis: MOSFET NCH 60V 90A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004LPS-13

DMTH6004LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

Popis: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6005LPSQ-13

DMTH6005LPSQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6005LPS-13

DMTH6005LPS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH6005LK3-13

DMTH6005LK3-13

Popis: MOSFET 60V 90A DPAK

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.