Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMTH10H010SPS-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4848258DMTH10H010SPS-13 Image.Diodes Incorporated

DMTH10H010SPS-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.51
10+
$1.339
100+
$1.058
500+
$0.821
1000+
$0.648
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMTH10H010SPS-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMTH10H010SPS-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerDI5060-8
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 13A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1.5W (Ta)
  • Obal
    Cut Tape (CT)
  • Paket / krabice
    8-PowerTDFN
  • Ostatní jména
    DMTH10H010SPS-13DICT
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    20 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    4.468nF @ 50V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    56.4nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    6V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    100V
  • Detailní popis
    N-Channel 100V 11.8A (Ta), 123A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    11.8A (Ta), 123A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMTH10H010SPS-13“.
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH3004LPS-13

DMTH3004LPS-13

Popis: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Popis: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Popis: MOSFET NCH 100V TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Popis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Popis: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Popis: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Popis: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Popis: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

Popis: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH3004LK3Q-13

DMTH3004LK3Q-13

Popis: MOSFET NCH 30V 21A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Popis: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Popis: MOSFET 100V 108A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Popis: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Popis: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Popis: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH3004LPSQ-13

DMTH3004LPSQ-13

Popis: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.