Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMT8012LK3-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
1895669DMT8012LK3-13 Image.Diodes Incorporated

DMT8012LK3-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2500+
$0.419
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMT8012LK3-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMT8012LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-252
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 12A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2.7W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    DMT8012LK3-13DITR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1949pF @ 40V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    80V
  • Detailní popis
    N-Channel 80V 44A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    44A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMT8012LK3-13“.
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Popis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Popis: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Popis: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Popis: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Popis: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Popis: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Popis: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Popis: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Popis: MOSFET 100V 108A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Popis: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Popis: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Popis: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Popis: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Popis: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.