Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMT6012LSS-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
779966

DMT6012LSS-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMT6012LSS-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 60V8SOIC
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    8-SO
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 10A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    1.2W (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    1522pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    22.2nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    N-Channel 60V 10.4A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    10.4A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMT6012LSS-13“.
DMT6010SCT

DMT6010SCT

Popis: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6017LSS-13

DMT6017LSS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Popis: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

Popis: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 11A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

Popis: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6015LSS-13

DMT6015LSS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.