Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > DMT6018LDR-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5227323

DMT6018LDR-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
10000+
$0.229
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMT6018LDR-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMT6018LDR-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    V-DFN3030-8
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 8.2A, 10V
  • Power - Max
    1.9W
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-PowerVDFN
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    869pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    6.2nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 11.4A (Ta) 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    11.4A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMT6018LDR-13“.
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Popis: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6017LSS-13

DMT6017LSS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6016LFDF-13

DMT6016LFDF-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Popis: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6016LPS-13

DMT6016LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6015LSS-13

DMT6015LSS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Popis: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Popis: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Popis: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

Popis: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT68M8LSS-13

DMT68M8LSS-13

Popis: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.