Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMT6005LCT
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
196268

DMT6005LCT

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
50+
$1.581
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMT6005LCT
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMT6005LCT.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-220AB
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 20A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2.3W (Ta), 104W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-220-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2962pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    47.1nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    N-Channel 60V 100A (Tc) 2.3W (Ta), 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMT6005LCT“.
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Popis: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

Popis: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Popis: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 11A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Popis: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 22A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Popis: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4P22K

DMT4P22K

Popis: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.