Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMT6008LFG-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5384017DMT6008LFG-13 Image.Diodes Incorporated

DMT6008LFG-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.12
10+
$0.982
100+
$0.758
500+
$0.561
1000+
$0.449
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMT6008LFG-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMT6008LFG-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerDI3333-8
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    7.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    2.2W (Ta), 41W (Tc)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    8-PowerWDFN
  • Ostatní jména
    DMT6008LFG-13DIDKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    2713pF @ 30V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    50.4nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    60V
  • Detailní popis
    N-Channel 60V 13A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta), 60A (Tc)

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMT6008LFG-13“.
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 11A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 22A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Popis: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Popis: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.