Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMT5015LFDF-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4755687DMT5015LFDF-13 Image.Diodes Incorporated

DMT5015LFDF-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
10000+
$0.222
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMT5015LFDF-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMT5015LFDF-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    6-UDFN2020 (2x2)
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 8A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    820mW (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    6-UDFN Exposed Pad
  • Ostatní jména
    DMT5015LFDF-13DI
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    902.7pF @ 25V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    50V
  • Detailní popis
    N-Channel 50V 9.1A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN2020 (2x2)
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    9.1A (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMT5015LFDF-13“.
DMT4P22K

DMT4P22K

Popis: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Popis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

Popis: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Popis: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Popis: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

Popis: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4005SCT

DMT4005SCT

Popis: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4004LPS-13

DMT4004LPS-13

Popis: MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Popis: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 22A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Popis: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Popis: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT4D47K

DMT4D47K

Popis: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.