Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMT4011LFG-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
275431

DMT4011LFG-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
2000+
$0.205
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMT4011LFG-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMT4011LFG-7.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    PowerDI3333-8
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 20A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    15.6W (Tc)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    8-PowerVDFN
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Výrobní standardní doba výroby
    32 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    767pF @ 20V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    15.1nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    4.5V, 10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    40V
  • Detailní popis
    N-Channel 40V 30A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

AMD zahajuje výstavbu druhé fáze Design Center Bangalore

2024/11/26

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMT4011LFG-7“.
DMT4D47K

DMT4D47K

Popis: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT34M2LPS-13

DMT34M2LPS-13

Popis: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

Popis: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 22A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

Popis: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT3N4R2U224M3DTA0

DMT3N4R2U224M3DTA0

Popis: CAPACITOR 220MF 20% 4.2V SMD

Výrobci: Murata Electronics
Na skladě
RFQ
DMT35M7LFV-13

DMT35M7LFV-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Popis: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4004LPS-13

DMT4004LPS-13

Popis: MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4005SCT

DMT4005SCT

Popis: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4P22K

DMT4P22K

Popis: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT4002LPS-13

DMT4002LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 40V 100A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Popis: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Popis: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

Popis: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT36M1LPS-13

DMT36M1LPS-13

Popis: MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Popis: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Výrobci: Cornell Dubilier Electronics
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.