Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMN1260UFA-7B
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4012127DMN1260UFA-7B Image.Diodes Incorporated

DMN1260UFA-7B

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
10000+
$0.061
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN1260UFA-7B
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN1260UFA-7B.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    X2-DFN0806-3
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    366 mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Ztráta energie (Max)
    360mW (Ta)
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    3-XFDFN
  • Ostatní jména
    DMN1260UFA-7BDITR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    60pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    0.96nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    1.5V, 4.5V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    12V
  • Detailní popis
    N-Channel 12V 500mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    500mA (Ta)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN1260UFA-7B“.
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7

Popis: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1150UFL3-7

DMN1150UFL3-7

Popis: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

Popis: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

Popis: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Popis: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN13H750S-13

DMN13H750S-13

Popis: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13

Popis: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Popis: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

Popis: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2004DWKQ-7

DMN2004DWKQ-7

Popis: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2004K-7

DMN2004K-7

Popis: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.