Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > DMN1150UFL3-7
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
2470194DMN1150UFL3-7 Image.Diodes Incorporated

DMN1150UFL3-7

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.094
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMN1150UFL3-7
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
    DMN1150UFL3-7.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    1V @ 250µA
  • Dodavatel zařízení Package
    X2-DFN1310-6
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Power - Max
    390mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    6-XFDFN
  • Ostatní jména
    DMN1150UFL3-7DITR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    16 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    115pF @ 6V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    1.4nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    12V
  • Detailní popis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 2A 390mW Surface Mount X2-DFN1310-6
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    2A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip oznamuje 500 propouštění, s restrukturalizačn...

2024/12/4

Quanta: Poptávka AI je i nadále silná, se stálým proud...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung výrazně snižuje využití fotorezistů ve 3D vý...

2024/12/2

Vishay investuje 51 milionů GBP do získané NWF Wafer Fab

2024/11/29

Trumpova tarifní hrozba, Nvidia, dodavatelé Intel Reasses...

2024/11/28

Intel obdrží 7,86 miliardy dolarů na dotace podle americ...

2024/11/27
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMN1150UFL3-7“.
DMN13H750S-7

DMN13H750S-7

Popis: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

Popis: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13

Popis: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN13M9UCA6-7

DMN13M9UCA6-7

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Popis: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

Popis: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7

Popis: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B

Popis: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Popis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Popis: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Popis: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

Popis: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMN13H750S-13

DMN13H750S-13

Popis: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násZprávyMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.