Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMJ70H1D3SI3
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
4260528DMJ70H1D3SI3 Image.Diodes Incorporated

DMJ70H1D3SI3

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.25
75+
$0.998
150+
$0.873
525+
$0.677
1050+
$0.535
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMJ70H1D3SI3
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMJ70H1D3SI3.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-251
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    41W (Tc)
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Ostatní jména
    DMJ70H1D3SI3-ND
    DMJ70H1D3SI3DI
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    7 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    351pF @ 50V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    700V
  • Detailní popis
    N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14

Čistý zisk Pegatrona Q3 byl 4,296 miliardy NT, což je č...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Jižní Korea plánuje přijmout zákon o čipu, aby čelil...

2024/11/13
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMJ70H1D3SI3“.
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Popis: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Výrobci: Skyworks Solutions, Inc.
Na skladě
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Popis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Popis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Popis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Popis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
IRF7490PBF

IRF7490PBF

Popis: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
IRL8113STRLPBF

IRL8113STRLPBF

Popis: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Popis: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Popis: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RFQ
IRLH6224TR2PBF

IRLH6224TR2PBF

Popis: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Popis: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
FQB5N20LTM

FQB5N20LTM

Popis: MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK

Výrobci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na skladě
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Popis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Popis: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
SPD18P06PGBTMA1

SPD18P06PGBTMA1

Popis: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Popis: MOSFET N-CH TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Popis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Popis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Popis: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
IXTT30N50P

IXTT30N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.