Pro návštěvníky na Electronica 2024

Zarezervujte si svůj čas hned!

Stačí několik kliknutí, abyste si rezervovali své místo a získali lístek na stánek

Hall C5 Booth 220

Předběžná registrace

Pro návštěvníky na Electronica 2024
Všichni se zaregistrujete! Děkujeme vám za schůzku!
Jakmile ověříme vaši rezervaci, zašleme vám vstupenky stánku e -mailem.
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > DMJ7N70SK3-13
RFQs/Objednávka (0)
Čeština
Čeština
5963356DMJ7N70SK3-13 Image.Diodes Incorporated

DMJ7N70SK3-13

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$1.87
10+
$1.652
100+
$1.306
500+
$1.013
1000+
$0.80
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    DMJ7N70SK3-13
  • Výrobce / značka
    Diodes Incorporated
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N-CH 700V 3.9A
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olovo a RoHS
  • Datasheety
    DMJ7N70SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (max) 'Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technika
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-252
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    1.25 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Ztráta energie (Max)
    28W (Tc)
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ostatní jména
    DMJ7N70SK3-13DIDKR
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    24 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    351pF @ 50V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.)
    10V
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    700V
  • Detailní popis
    N-Channel 700V 3.9A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    3.9A (Tc)

Grafická karta NVIDIA RTX 5090 má oblast GPU 744 mm ², c...

2024/11/25

Antropic obdrží od Amazonu další investici 4 miliardy d...

2024/11/23

Semi: IC zvýšení prodeje o 12% ve čtvrtletí, oček...

2024/11/22

Uvádí se, že Kioxia obdrží schválení výpisu 22. lis...

2024/11/21

Nejnovější optická platforma společnosti Tower Semicon...

2024/11/20

Průmysl se zotavuje pomalu.Epitaxiální dodavatel IQE zva...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dodavatel: V prosinci bude doručeno velké množství slo...

2024/11/18

Tchaj -wan, výstupní hodnota China Semiconductor v letoš...

2024/11/17

Rozšíření výroby panelů OLED, LG Display investuje da...

2024/11/15

Amazon zvyšuje úsilí o vytvoření přizpůsobených či...

2024/11/14
Lodní doprava
Způsob platby
Následuje produkty související s „DMJ7N70SK3-13“.
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Popis: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Výrobci: Skyworks Solutions, Inc.
Na skladě
RFQ
IXFC96N15P

IXFC96N15P

Popis: MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Popis: MOSFET N-CH TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Popis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Popis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Popis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Popis: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
STL4LN80K5

STL4LN80K5

Popis: MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT

Výrobci: STMicroelectronics
Na skladě
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Popis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Popis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
IXTQ69N30P

IXTQ69N30P

Popis: MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

Popis: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Výrobci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na skladě
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Popis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Popis: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
IXFP16N50P

IXFP16N50P

Popis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Popis: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

Popis: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
RFQ
VN10LP

VN10LP

Popis: MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Popis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Výrobci: Diodes Incorporated
Na skladě
RFQ
IXTA182N055T7

IXTA182N055T7

Popis: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7

Výrobci: IXYS Corporation
Na skladě
RFQ
Jako jediný veřejný distributor na otevřeném trhu máme jedinečnou kombinaci globálního přístupu, odbornosti v oblasti výrobního průmyslu a prokázané kvality.Díky tomu můžeme vytvořit přizpůsobená řešení pro end-to-end dodavatelský řetězec pro elektronické komponenty získávání a správu zásob.
Následuj nás
Všeobecné obchodní podmínkyPolitika porušeníPožádat o nabídkuO násKontaktujte násMapa webu

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení

Aktuální jazyk

Vyberte svou zemi nebo region.